microbik.ru
1

Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 6
04;11
Осаждение пленок a-C : H в тлеющем разряде на постоянном токе
с областью магнетронной плазмы, локализованной вблизи анода
© Е.А. Коншина
Всероссийский научный центр „Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова“,
199034 Санкт-Петербург, Россия
e-mail: konshina@soi.spb.su
(Поступило в Редакцию 23 марта 2001 г. В окончательной редакции 21 августа 2001 г.)
Многоэлектродная система для химического осаждения паров в плазме тлеющего разряда на постоянном
токе с областью скрещенных магнитного и электрического полей была использована для получения пленок
a-C : H. Исследованы вольт-амперные характеристики разряда в интервале дпвлений в вакуумной камере
от 0.004 до 0.1 Pa и влияние на них магнитного поля. Изучено влияние мощности тлеющего разряда, давления
паров углеводорода, проводимости материала подложки и ее потенциала, а также добавления инертного
газа на скорость осаждения пленок a-C : H. Полученные результаты обсуждены в рамках представлений об
адсорбционном механизме конденсации пленок в плазме. Дан краткий анализ влияния скорости осаждения
на свойства пленок.
Введение
электрода: катод и анод 5, имеющие кольцеобразную
форму. Напряженность магнитного поля постоянного
Метод химического осаждения паров в плазме тлею-
магнита у поверхности катода была около 600 Gs. Допол-
щего разряда широко используют для получения пленок
нительный электрод и электрод-держатель подложек 7
аморфного гидрогенизированного углерода (a-C : H). Он
были размещены на стеклянных цилиндрах диаметром
основан на конденсации продуктов деструкции углево-
около 130 mm. Их стенки ограничивали плазму внут-
дородов в плазме с участием положительных ионов.
ри квазизамкнутого объема в вакуумной камере. Газ
Плазму тлеющего разряда создают с помощью диод-
вводили внутрь этого объема через кольцеобразный
ных систем на ВЧ потенциале [1–7] или постоянном
зазор между магнитом и катодом. Такая конструкция
токе [8–10]. Инертность ионов по сравнению с элек-
устройства обеспечивала равномерное распределение и
тронами в ВЧ разряде уменьшает эффективность их
экономичный расход газа и снижала загрязнение пленок
воздействия на растущую пленку. Размещение сетки с
посторонними примесями. Для обеспечения наибольшей
отрицательным смещением относительно ВЧ плазмы
напряженности и однородности магнитного поля в об-
вблизи подложек [11], а также использование магнитно-
ласти скрещенных полей катод и анод размещали
го поля, перпендикулярного электрическому полю ВЧ
в непосредственной близости от постоянного магнита.
плазмы, позволяют повысить эффективность ионизации
Расстояние между катодом и электродом-держателем 7
газа [12].
было около 50 mm в схеме без дополнительного элек-
В этой работе исследуются характеристики много-
трода, который размещали на расстоянии 30 mm от
электродного устройства для осаждения пленок a-C : H.
Его особенностью является одновременное существова-
ние магнетронной плазмы, локализованной вблизи анода
и плазмы тлеющего разряда на постоянном токе в
квазизамкнутом объеме. Анализируется действие меж-
электродного напряжения, мощности разряда, давления
газа и других факторов на скорость осаждения пленок
-C : H.
Экспериментальная часть
1. У с т р о й с т в о
д л я
о с а ж д е н и я
п л е н о к
в
п л а з м е т л е ю щ е г о р а з р я д а . Схема многоэлект-
родного устройства на постоянном токе для получения
пленок a-C : H показана на рис. 1. Особенностью устрой-
Рис. 1. Схема многоэлектродного устройства: — область
ства является использование локализованной плазмы 1
локализованной плазмы, — область плазмы тлеющего раз-
для поддержания тлеющего разряда в объеме 2. Лока-
ряда, — постоянный магнит, — катод, — анод, 
лизованная плазма создавалась с помощью скрещенных
дополнительный электрод, — электрод-держатель подложек,
магнитного и электрического полей. Для этого исполь-
— вакуумная камера, — электрические вводы, 10 
зовали кольцевой постоянный магнит и два плоских
вентиль.
3∗
35



36
Е.А. Коншина
катода. Это устройство позволяет осаждать покрытия
на подложки диаметром до 100 mm с неоднородностью
покрытия по толщине не более 20%.
Устройство размещали в вакуумной камере 8, которая
была снабжена электрическими вводами и регули-
руемым вентилем для подачи газа 10 (рис. 1). На
анод устройства подавали положительный потенциал от
стандартного блока питания постоянного тока. Катод на-
ходился под потенциалом земли. На электрод-держатель
подложек подавали отрицательный постоянный потен-
циал от стандартного блока питания постоянного тока
либо его соединяли с землей. Дополнительный электрод
использовали, как держатель подложек при осаждении
пленок a-C : H под скользящим углом [13]. Вакуумную
камеру откачивали до остаточного давления 1−5·10−3 Pa
с помощью роторного форвакуумного и турбомолеку-
лярного насосов. Давление газа в вакуумной камере кон-
тролировали с помощью ионизационного вакуумметра.
Пары осаждаемого вещества подавали в вакуумную
камеру с помощью регулируемого вентиля через реси-
вер, предварительно откаченный с помощью форвакуум-
ного насоса. При подаче напряжения между катодом и
анодом в результате эффективного захвата электронов
в „магнитную ловушку“ возникала плотная плазма то-
роидальной формы, а затем происходила ионизация газа
в разрядном промежутке между анодом и электродом-
держателем подложек. Соударение ионов с твердой
Рис. 3. — ионный ток в зависимости от напряжения при
поверхностью, ограничивающей область плазмы, спо-
трехэлектродной схеме устройства. Давление ацетилена P, Pa:
собствует эмиссии дополнительных электронов, которые
— 0.004, — 0.03, — 0.05, — 0.05 (с дополнительным
также участвуют в объемной ионизации газа. Для оса-
электродом); — изменение показателя степени, а зависимо-
ждения пленок a-C : H использовали полированные ме-
сти 
Ua от давления.
таллические подложки, изготовленные из меди и стекла,
покрытые тонкими проводящими и полупроводниковыми
пленками.
0.01 до 0.04 Pa и постоянном напряжении (U) (кри-
2. Х а р а к т е р и с т и к и
у с т р о й с т в а .
На рис. 2
приведены зависимости ионного тока (
вые и на рис. 2), когда плазма тлеющего разряда
I) на электроде-
держателе подложек (на рис. 1) от давления (P)
поддерживается с помощью локализованной плазмы в
в вакуумной камере в ацетиленовой плазме тлеюще-
устройстве на рис. 1. Повышение напряжения от 600
го разряда, полученной с помощью вышеописанного
до 800 V приводит к двукратному возрастанию тока на
устройства. Величина ионного тока изменяется незна-
электроде-держателе подложек. При отсутствии посто-
чительно при изменении давления газа в интервале от
янного магнита в устройстве тлеющий разряд возникал
при более высоком давлении 0.06 Pa (кривая на рис. 2)
и большем напряжении, равном 1200 V. Ионный ток
в этом случае зависит от давления газа в большей
степени и возрастает с его повышением. Сравнение
зависимостей на рис. 2 свидетельствует о существенном
влиянии локализованной плазмы, образующейся в обла-
сти скрещенных магнитного и электрического полей, на
характеристики тлеющего разряда.
На рис. 3, приведены экспериментальные зависи-
мости ионного тока на подложку от напряжения. Они
имеют возрастающий характер и могут быть описаны
формулой 
Ua. Показатель степени a, характе-
ризующий эффективность ионизации газа, изменяется
Рис. 2. Ионный ток на электроде-держателе подложек в
не монотонно в интервале давлений газа в вакуумной
зависимости от давления ацетилена в вакуумной камере.
камере от 0.004 до 0.1 Pa (рис. 3, b). Более эффективная
Тлеющий разряд поддерживается с помощью локализованной
ионизация газа наблюдается в области давлений около
плазмы (a, b) и без нее (c). U, V: — 600, — 800, — 1200.
0.03 Pa. Ионный ток уменьшается как при понижении
Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 6



Осаждение пленок a-C : H в тлеющем разряде на постоянном токе с областью магнетронной плазмы...
37
давления из-за снижения концентрации молекул газа в
квазизамкнутом объеме, так и при повышении давления
до 0.05 Pa. Введение в схему устройства дополнитель-
ного электрода (под потенциалом земли) понижает
ионный ток на подложку (прямая 4) по сравнению
с его значением при том же давлении (прямая на
рис. a). Одинаковый наклон прямых и на рис. 3, a
свидетельствует о сохранении эффективности ионизации
газа.
Анализ характеристик вышеописанного многоэлек-
тродного устройства показал, что оно работает в более
широком по сравнению с обычными диодными система-
ми интервале давлений в вакуумной камере (от 0.004
до 0.1 Pa). Это значительно расширяет диапазон рабочих
условий для осаждения пленок a-C : H в плазме тлею-
щего разряда. Ионный ток на подложку можно изменять
Рис. 4. Скорость осаждения пленок a-C : H на стеклянные
от 2 до 40 mA в интервале межэлектродных напряжений
подложки в зависимости от межэлектродного напряжения.
от 600 до 1200 V. Мощность разряда (N), рассеиваемая
положительными ионами на электроде-держателе под-
ложек, при этом будет изменяться в интервале от 1.2
измеряли с помощью микроинтерферометра МИИ-4М.
до 44 W.
Относительная ошибка измерения составляла 10%. Тол-
щина пленок a-C : H была 0.1−0.µm. С увеличением
Факторы, влияющие на скорость
напряжения от 700 до 1300 V скорость осаждения изме-
осаждения пленок a-C : H
нялась от 0.25 до 2 ˚
A/s.
На рис. 5 показаны экспериментальные зависимо-
1. В л и я н и е п а р а м е т р о в т л е ю щ е г о р а з р я д а .
сти скорости осаждения пленок a-C : H от мощности
Химические реакции и физические процессы у по-
разряда, полученные при давлении паров в вакуумной
верхности пленок a-C : H во время их осаждения в
камере ∼ 0.1 (прямая 1) и ∼ 0.05 (прямая 2) Pa. Пленки
низкотемпературной углеводородной плазме подробно
осаждали из ацетиленовой и ацетилен-аргоновой плазмы
анализируются в работе [14] в рамках модели ад-
на подложки из меди при комнатной температуре. При
сорбированного слоя. Эта модель предполагает, что
вариации в интервале от 1 до 20 W скорость изменя-
CH3 радикалы плазмы физсорбируются на поверхности.
лась от 1 до 35 ˚
A/s. Разный наклон прямых и на рис. 5
Физсорбированные радикалы затем в результате ион-
показывает влияние давления на скорость конденсации
индуцированной сшивки с помощью энергичных частиц
пленок. При более высоких давлениях (совокупность
переходят в хемосорбированное состояние. Покрытие
точек вблизи прямой 1) уменьшается доля энергич-
поверхности зависит от числа поверхностных состо-
яний и поверхностной температуры. При осаждении
пленок a-C : H с помощью вышеописанного устройства
поверхность растущей пленки подвергается непрерыв-
ной бомбардировке положительными ионами, энергия
которых зависит в первую очередь от межэлектродного
напряжения. Ионы в зависимости от передаваемой ими
энергии могут способствовать уплотнению конденсата
как за счет образования ион-индуцируемых сшивок, так
и в результате деструкции слабосвязанных частиц и их
диффузии по поверхности с последующей десорбцией.
Баланс процессов, способствующих наращиванию тол-
щины пленки и ее травлению, определяет скорость ее
осаждения. С помощью параметров тлеющего разряда
(давления газа, ионного тока на подложку и межэлек-
тродного напряжения), влияющих на энергию и количе-
ство ионов, можно изменять скорость осаждения пленок.
Рис. 4 показывает влияние межэлектродного напряже-
ния на скорость осаждения (r) пленок на поверхность
Рис. 5. Скорость осаждения пленок a-C : H на поверхность
стеклянных подложек в ацетиленовой плазме. Скорость
меди в зависимости от мощности разряда при давлениях
осаждения определяли как отношение толщины пленки
ацетилена P
0.1 (◦) и P
0.05 Pa ( ).
— осаждение
-C : H к продолжительности ее получения. Толщину
из ацетилен-аргоновой смеси.
Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 6



38
Е.А. Коншина
ных ионов, участвующих в процессе конденсации, из-за
потерь энергии при соударениях с молекулами газа.
Это должно приводить к снижению ион-индуцируемых
сшивок и формированию полимероподобных пленок
-C : H, содержащих значительное количество связан-
ного водорода. При более низком давлении (совокуп-
ность точек вблизи прямой на рис. 5) мощность,
рассеиваемая на подложках, приближается к подводимой
мощности разряда из-за меньших потерь энергии ионами
в плазме. Содержание водорода в пленках, полученных
в этих условиях, уменьшается, а соотношение атомов
углерода в s p3- и s p2-состояниях, а в структуре пле-
нок определяется величиной межэлектродного напря-
жения [15].
2. В л и я н и е
д о б а в л е н и я
и н е р т н о г о
г а з а .
Добавление инертного газа к ацетилену вызывает сни-
жение скорости осаждения пленок a-C : H при тех же
Рис. 7. Скорость осаждения пленок a-C : H на поверхность
давлениях в вакуумной камере. На рис. 5 ( ) приведены
прозрачного проводящего электрода In2SnO3 ( ) и полу-
скорости осаждения пленок в ацетилен аргоновой плаз-
проводникового слоя a-Si:C : H ( ) при давлении ацетилена
ме. Более низкие значения скоростей в этом случае обу-
∼ 0.05 Pa в зависимости от мощности разряда.
словлены уменьшением концентрации углеводородных
радикалов в плазме и усилением процессов десорбции
слабосвязаных частиц в результате бомбардировки по-
верхности ионами аргона, которые на являются носите-
радикалы и ионы), присутствующие в плазме, способ-
лями осаждаемого материала и не образуют химических
ствуют росту пленки. Напротив, бомбардировка пленки
связей с конденсатом.
ионами инертного газа приводит к травлению поверх-
На рис. 6 показана зависимость скорости осаждения
ности в процессе конденсации и понижает скорость
пленок a-C : H от объемной концентрации ацетилена
осаждения.
в смеси с криптоном при постоянной мощности раз-
3. В л и я н и е п р о в о д и м о с т и п о д л о ж к и . Рис. 7
ряда, равной 1.8 W, и давлении 0.05 Pa. Скорость оса-
иллюстрирует влияние проводимости поверхности на
ждения пленки на медные подложки можно снизить
скорость осаждения пленок a-C : H при давлении аце-
от 4 до 0.5 ˚
A/s, уменьшая относительное содержание
тилена в вакуумной камере около 0.05 Pa. При одина-
ацетилена в смеси до 20%. Соотношение между угле-
ковой мощности разряда скорость осаждения пленок на
родсодержащими частицами в плазме и ионами инерт-
поверхность прозрачного проводящего слоя на основе
ного газа определяет два конкурирующих процесса:
окислов индия и олова (ITO) на порядок величины выше,
осаждение конденсата и травление растущей пленки.
чем в случае осаждения на поверхность полупроводни-
Углеродсодержащие частицы (нейтральные молекулы,
кового слоя a-Si:C : H с удельным сопротивлением около
1012
· cm.
При бомбардировке подложек положительными иона-
ми в плазме тлеющего разряда на постоянном токе на их
поверхности образуется объемный заряд. Стекание заря-
да с поверхности зависит от проводимости подложки,
толщины и удельного сопротивления растущей пленки.
В случае металлической подложки толщину пленки d,
при которой зарядка поверхности незначительна, мож-
но определить по формуле: RD/ρF, где RD 
сопротивление разрядного промежутка; ρF — удельное
сопротивление осаждаемой пленки [16]. При значениях
RD ≈ 3 · 105
пленка толщиной ∼ 0.µm и удельным
сопротивлением ρF = 108
· cm не препятствует сте-
канию заряда. С увеличением удельного сопротивления
критическая толщина и скорость осаждения пленки
-C : H будут уменьшаться. Поэтому проводимость по-
верхности подложки и конденсата в плазме тлеющего
Рис. 6. Скорость осаждения пленок a-C : H на медные подлож-
разряда следует учитывать как один из немаловажных
ки в зависимости от объемного содержания ацетилена в смеси
факторов, влияющих на кинетику процесса осаждения
с криптоном.
пленок a-C : H.
Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 6

Осаждение пленок a-C : H в тлеющем разряде на постоянном токе с областью магнетронной плазмы...
39
Свойства пленок a-C : H
при той же геометрии устройства, ориентировали те
и их практическое применение
же молекулы ЖК перпендикулярно поверхности [24].
Ориентирующие слои на основе a-C : H обеспечивают
Исследованию влияния скорости осаждения на свой-
стабильную ориентацию молекул ЖК, как показали
ства пленок a-C : H был посвящен ряд работ, опубли-
исследования с помощью ИК спектроскопии [25].
кованных автором ранее [17–20]. Здесь дается краткий
Поглощающие в видимой области „черные“ пленки
анализ влияния скорости осаждения на свойства пленок.
-C : H, были использованы для оптической развязки
При изменении скорости осаждения пленок a-C : H на
между записывающим и считывающим светом в оптиче-
стеклянные подложки в интервале от 0.4 до 2.5 ˚
A/s
ски управляемых ЖК модуляторах отражательного типа.
показатель преломления изменялся в интервале от 2.4
Эффективность светоблокировки фотополупроводнико-
до 2.0, при этом показатель поглощения уменьшался
вых слоев a-Si:H и a-Si:C : H с помощью пленок a-C : H
от 0.3 до 0.1 на длине волны 633 nm [17,18]. Понижение
была показана в работе [26]. Пленка a-C : H толщиной
скорости осаждения пленок a-C : H в четыре раза при
µm с коэффициентом поглощения ∼ 5 · 104 cm−1 на
добавлении аргона (до 50–70%) к ацетилену приводило
длине волны 633 nm дает стократное ослабление интен-
к уменьшению ширины из оптической цели от 2.1
сивности падающего света. Применение поглощающих
до 1.1 eV [19]. Варьируя скорость осаждения в интервале
пленок a-C : H в ЖК модуляторах является новым тех-
от 1 до 10 ˚
A/s, можно изменить удельное сопротивление
ническим решением проблемы оптической развязки [27].
пленок на шесть порядков от величины ∼ 107 [20].
Увеличение поглощения в видимой области спектра у
Заключение
пленок a-C : H, полученных из ацетилена, сопровождает-
ся сужением оптической щели и ростом проводимости
В работе обобщены и систематизированы результаты
пленок. Корреляция коэффициента поглощения на длине
исследований технологии получения пленок на основе
волны 633 nm, ширины оптической щели и удельного
-C : H в плазме тлеющего разряда на постоянном токе с
сопротивления в зависимости от скорости осаждения
помощью оригинального многоэлектродного устройства
обсуждаются в работе [21].
с магнетронной плазмой, локализованной вблизи анода.
Продукты на основе a-C : H с различными оптически-
Использование последнего позволяет осаждать пленки в
ми, электрическими, поверхностными и другими свой-
плазме тлеющего разряда в более широком интервале
ствами, полученные с помощью вышеописанного про-
рабочих давлений (от 0.1 до 0.004 Pa) по сравнению с
цесса, применяются в разных оптических устройствах.
обычными диодными системами. Получены зависимости
Механически прочное и химически стойкое аморфное
скорости осаждения от межэлектродного напряжения,
покрытие, прозрачное в ИК области спектра, с показа-
мощности разряда, относительного количества инерт-
телями преломления в интервале 2–2.4 и поглощения
ного газа в смеси с углеводородом, знание которых
∼ 0.02 на длине волны 10.µm повышает порог оптиче-
дает возможность управлять процессом конденсации.
ского пробоя лазерных зеркал. Систематический анализ
Изменение скорости процесса осаждения пленок a-C : H
влияния различных факторов на порог пробоя медных
в интервале от 0.25 до ∼ 30 ˚
A/s позволяет варьировать
зеркал с таким покрытием дан в [22]. Оптимальная
структуру и свойства пленок от полимероподобных до
скорость осаждения в этом случае соответствует ∼ 2 ˚
A/s.
алмазоподобных. Полученные результыты представляют
Тонкие, прозрачные, с низким показателем преломле-
интерес для решения прикладных задач в области физи-
ния около 1.6 пленки, полученные из толуола и октана,
ки с использованием тонких пленок a-C : H.
были использованы в качестве ориентирующих жидкие
кристаллы (ЖК) слоев [13]. Взаимодействие молекул
Список литературы
ЖК с относительно гладкой поверхностью слоев на
основе a-C : H связано с дисперсионным межмолекуляр-
[1] Anderson I.P., Berg S., Norstrom H. et al. // Thin Solid Films.
ным взаимодействием на границе раздела фаз твердое
1979. Vol. 63. P. 155–157.
тело–жидкий кристалл. Такие пленки осаждали, исполь-
[2] Whitmel D.S., Williamson R. // Thin Solid Films. 1976.
зуя схему устройства с дополнительным электродом, в
Vol. 35. N 2. P. 255–261.
которой подложки размещали наклонно относительно
[3] Holland L., Ojha S.M. // Thin Solid Films. 1979. Vol. 58. N 1.
плоскости электродов. В результате этого ионы падали
P. 107–116.
на поверхность под скользящими углами, что изменяло
[4] Discler B., Bubenzer A., Koidl P. // Solid State Comm. 1983.
существенно условия взаимодействия их с растущей
Vol. 48. N 2. P. 105–108.
[5] Jones D.I., Stewart A.D. // Phil. Mag. B. 1982. Vol. 45. N 5.
пленкой. Было обнаружено существенное различие ори-
P. 432–434.
ентирующих свойств слоев, осажденных под отрицатель-
[6] Enke K., Dimigen H., Hubach H. // Appl. Phys. Lett. 1980.
ным и плавающим потенциалами. При участии ионов в
Vol. 36. N 4. P. 291–292.
процессе конденсации, когда на подложки подается от-
[7] Watanabe I., Hasegawa S., Kurata Y. // Jap. J. Appl. Phys.
рицательный потенциал, пленки выравнивали молекулы
1982. Vol. 21. N 6. P. 856–859.
ЖК параллельно поверхности подложки [23]. В то же
[8] McKenzie D.R., McPhedran R.C., Cockayne D.J.H. // Thin
время пленки, полученные под плавающим потенциалом
Solid Films. 1983. Vol. 106. N 3. P. 247–256.
Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 6

40
Е.А. Коншина
[9] Meyerson B., Smith F.W. // Non-Crystal Solids. 1980.
Vol. 35/36. P. 435–440.
[10] Балаков А.В., Коншина Е.А. // ЖТФ. 1982. Т. 52. Вып. 4.
С. 810–811.
[11] Mori T., Namba Y. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1983. Vol. 1.
P. 23–27.
[12] Weismantel C., Bewilogua K., Bzeuer K. et al. // Thin Solid
Films. 1982. Vol. 96. N 1. P. 31–44.
[13] Коншина Е.А., Толмачев В.М., Вангонен А.И., Фаткули-
на Д.А. // Оптический журнал. 1997. Т. 64. № 5. С. 88–95.
[14] Jacob W. // Thin Solid Films. 1998. Vol. 326. P. 1–42.
[15] Коншина Е.А. // ОМП. 1987. № 2. С. 15–18.
[16] Ludwig M. // Appl. Opt. 1986. Vol. 25. N 22. P. 3977–3979.
[17] Коншина Е.А., Толмачев В.А. // ЖТФ. 1995. Т. 65. №. 1.
С. 175–178.
[18] Tolmachev V.A., Konshina E.A. // D & RM. 1996. Vol. 5. N 12.
P. 1397–1401.
[19] Коншина Е.А. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 3. С. 469–475.
[20] Коншина Е.А. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 3. С. 87–89.
[21] Konshina E.A., Feoktistov N.A. // J. Phys. D. Appl. Phys. 2001.
Vol. 34. P. 1131–1136.
[22] Коншина Е.А. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 9. С. 59–66.
[23] Коншина Е.А. // Кристаллография. 1995. Т. 40. № 6.
С. 1074–1076.
[24] Коншина Е.А., Толмачев В.М., Вангонен А.И. // Кристал-
лография. 1998. Т. 43. № 1. С. 107–110.
[25] Коншина Е.А., Вангонен А.И. // Оптический журнал. 1998.
Т. 65. № 7. С. 39–42.
[26] Коншина Е.А., Онохов А.П. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 3.
С. 80–81.
[27] Onokhov A.P., Konshina E.A., Feoktistov N.A. et al. //
Ferroelectrics. 2000. Vol. 246. P. 259–268.
Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 6