microbik.ru
1 2 ... 5 6


















правило параллельных ветвей

и



  1. Электроника. История развития.

  2. Электропроводность веществ и материалов.

  3. Полупроводники. Структура проводников.

  4. Примесные полупроводники (примеси полупроводников).

  5. Примесные полупроводники n-типа.

  6. Проводники р – типа.

  7. Энергетические диаграммы полупроводников.

  8. Диффузионный и дрейфовый механизмы движения зарядов в полупроводнике.

  9. Электрические переходы.

  10. р-n переход.

  11. р-n переход при прямом смещении.

  12. Обратное смещение р-n перехода.

  13. ВАХ р-n перехода.

  14. Пробой р-n перехода

  15. Полупроводниковые диоды (типы).

  16. Выпрямительный диод. ВАХ выпрямительного диода.

  17. Схема применения выпрямительного диода (принцип действия).

  18. Параметры выпрямительных диодов.

  19. Стабилитрон. ВАХ стабилитрона.

  20. Основные параметры стабилитрона.

  21. Фотодиод. ВАХ. Основные параметры. Схема применения.

  22. Светодиод. ВАХ. Основные параметры. Схема применения.

  23. Туннельный диод. ВАХ. Основные параметры. Схема применения.

  24. Варикап. Вольт – фарадная характеристика. Основные параметры. Схема применения

  25. Диоды Шотки.

  26. Биполярный транзистор. Особенности изготовления. Основные режимы работы.

  27. Принцип действия транзистора в усилительном режиме.

  28. Схема включения транзистора.

  29. ВАХ транзистора, включенного по схеме ОБ.

  30. ВАХ транзистора, включенного по схеме ОЭ.

  31. ВАХ транзистора, включенного по схеме ОК.

  32. Усиление мощности транзистором.

  33. Эквивалентные схемы транзистора.

  34. Четырех-полюсная эквивалентная схема транзистора(теоретическая).

  35. Связь между параметрами физической и теоретической эквивалентной схемы.

  36. Основные параметры транзистора. Предельно – допустимые параметры транзистора.

  37. Полевые транзисторы.

  38. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом.

  39. Принцип действия полевого транзистора.

  40. ВАХ полевого транзистора.

  41. Эквивалентная схема полевого транзистора.

  42. Основные параметры полевого транзистора.

  43. Полевые транзисторы с изолированным затвором.

  44. Принцип действия. МОП транзистора.

  45. ВАХ полевого транзистора (МОП).

  46. Тиристоры.

  47. Принцип действия тиристора.

  48. Флештранзисторы.

  49. Усилительные устройства (усилители электрических сигналов).

  50. Структура усилителя.

  51. Основные параметры усилителей.

  52. Характеристики усилителей.

  53. Искажение сигналов в усилителях.

  54. Классификация усилителей.

  55. Схема включения полевого транзистора в усилительном каскаде.

  56. Обратная связь в усилителях.

  57. Способы введения обратной отрицательной связи (ООС).

  58. Резистивный усилительный каскад.

  59. Принцип действия усилителя.

  60. Режим работы каскада на постоянном токе.

  61. Анализ каскада на переменном токе.

  62. Эквивалентная схема резистивного усилительного каскада по переменному току.

  63. Разновидности усилительных каскадов.

  64. Усилители мощности электрических сигналов.

  65. Интегральные операционные усилители(усилители постоянного тока).

  66. Структура ОУ.

  67. Основные параметры ОУ.

  68. Основные характеристики ОУ.

  69. Схемы применения ОУ.

  70. Функциональные устройства на ОУ.



  1. Электроника. История развития.

Электроника – это наука о процессах происходящих в электрических цепях, содержащих электрические элементы, полупроводниковые элементы, электровакуумные элементы, расчета электрических схем с этими элементами.

Основные этапы развития электроники

1). Изучение свойств полупроводников

1883 М.Фарадей , Беккерель

2). Изучение электропроводности

1926 Лименфельд

3). Изготовление транзисторов (и разработка)

1947 Шокли, Бардин, Браттейн

1956 – Нобелевская премия

4). Изготовление туннельного диода

1958 Л.Исаки

5). Изготовление полевых транзисторов 1963

6). Изготовление первого микропроцессора

1972 Intel


  1. Электропроводность веществ и материалов.

Электропроводность – это некоторое качество веществ, которое характеризует способность проводить электрический ток. Количественно она характеризуется удельной проводимостью, а также концентрацией свободных носителей заряда.

Электропроводность полупроводников возникает, когда полупроводник начинает проводить ток, при приложении внешнего напряжения, при наличии градиента концентрации, при воздействии освещённости, при воздействии радиоактивных излучений.



Все вещества делятся на 4 группы:

Сверхпроводники.

Очень малое сопротивление теоретически R=0.

  1. Проводники

(10-6-10-4) Ом на См.

Металл: серебро, медь, хром, алюминий

Электролит: вода, щелочные кислотные растворы

Вольфрам, нихром – плохие проводники.

  1. Полупроводники

(10-4-10-8) Ом на См.

Германий, кремний, селен, интерметаллические соединения, арсенид галлия GaAs, антимонит индия InSb, Cu2O, ZnO – оксиды, сульфиды: камния, цинка, SiC – карбиды, фосфиды, органические соединения

  1. Диэлектрики.

(108 и больше)

Стекло, слюда, эбонит, фарфор, воздух, вакуум

  1. Полупроводники. Структура полупроводников.

Полупроводники – это особый класс химических элементов, соединений, электропроводность которых в большей степени зависит от внешних факторов: температуры, давления, влажности, освещенности, магнитного поля, примесей и т д

* При изменении температуры на 1°С электропроводность возрастает на 5-6%(сопротивление уменьшается)

* При добавлении мышьяка (5 – 10% от объема) электропроводность увеличивается в 200 раз.

* При освещённости полупроводников его сопротивление уменьшается.

* Воздействие радиационного излучения приводит к уменьшению сопротивления.

Структура полупроводников (Наиболее распространенные полупроводники, применяемые в эл. промышленности – германий и кремний, эти вещества имеют структуру алмазо – подобного вида)



Наличие сил притяжения и отталкивания ядер приводит к равновесию, которое создает устойчивую структуру и обеспечивает необходимые металлические свойства: твердость.

Структура Ge и Si монокристаллическая, в которой атомы размещаются в узлах кристаллической решётки, которая называется тетраэдром. На внешней электронной оболочке 4 электрона. Развернём на плоскости

pic for electronika\15.bmp



Особенностью структуры полупроводников является её пространственная устойчивость, алмазоподобная структура. При повышении температуры некоторые связи разрываются в результате энергетического воздействия, при этом некоторые электроны отрываются от своих атомов и становятся свободными носителями заряда. На месте ушедшего электрона образуется нескомпенсированный положительный заряд и незаполненная валентная связь. Энергия в этой связи меньше, чем в заполненной поэтому на место ушедшего электрона может перейти электрон из соседней связи. В результате происходит движение положительного нескомпенсированного заряда,который эквивалентен некоторой частице с зарядом +1е. Этот подвижный нескомпенсированный заряд называется дыркой. При воздействии температуры возникает одинаковое количество n и p. Процесс генерации n и p при воздействии температуры называется термогенерацией. Паралельно с этом процессом идёт противоположный процесс – рекомбинация. При увеличении температуры число n и p возрастает следовательно увеличивается и электропроводность.

Из чистых проводников изготавливают следующие полупроводниковые приборы:

  1. Терморезистор

  2. Фоторезистор

  3. Тензорезистор




  1. Примесные полупроводники (примеси полупроводников)

Примесным полупроводником называют полупроводник в который введена какая либо примесь. В качестве примесей используют вещества с валентностью 3/5.

5 – Сурьма (Sb), P, As – доннорные примеси.

3 – Al, Ga, B, In – акцепторные примеси.

Различают слабо(), нормально и сильно – легируемые полупроводники

  1. Примесные полупроводники n-типа.

Добавим Sb. Если в кристалл полупроводника добавить 5 – тивалентную примесь, расплавить, а потом она затвердевает, в результате образуется примесный проводникpic for electronika\16.bmp


При воздействии температуры 5 валентный элемент примеси становиться свободным носителем заряда, увеличивает число ē (образуя электронную проводимость). На месте ушедшего ē остаётся неподвижный положительно заряженный ион атома донорной примеси, этот ион не учавствует в электропроводности .

Примесь, отдающая ē называется донорной.

В таком полупроводнике число е значительно больше числа дырок. ē – называется основным носителем заряда, а дырки – не основным.



Такой примесный полупроводник называется полупроводник n- типа или электронный полупроводник.


следующая страница >>